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单晶硅各向异性腐蚀的微观动态模拟

消耗积分:3 | 格式:rar | 大小:368 | 2009-07-02

吴藩

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根据单晶硅各向异性腐蚀的特点，以晶格内部原子键密度为主要因素，温度、腐蚀液浓
度等环境因素为校正因子，建立了一个新颖的硅各向异性腐蚀的计算机模拟模型。在+,--开发环境下利用./0123 技术，实现了硅各向异性腐蚀过程的三维微观动态模拟，为深刻理解硅的各向异性腐蚀过程提供了直观的界面。
硅各向异性腐蚀技术是MEMS加工的核心工艺之一。硅的各向异性腐蚀，是指硅的不同晶面具有不同的腐蚀速率1］。基于这种腐蚀特性，可在硅衬底上加工出各种各样复杂的三维微结构。如果能精确的对各向异性腐蚀的结果进行计算机模拟，那么对于MEMS计算机辅助设计系统的建立和MEMS工艺水平的提高，都有重要的意义2］。
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