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A Comparison between Battery Backed NV SRAMs and NOVRAMS
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2017-04-12
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nvsrams
达拉斯半导体nvsrams（图1）有一个内部的锂电源和独立的控制电路连续监视的VCC为一个宽容的条件下进行。当发生这种情况时，锂电池自动打开和写入保护无条件启用，以防止数据损坏。有没有限制，可以执行的写周期，并没有额外的支持电路所需的微处理器接口。达拉斯nvsrams也可靠地存储数据长达10年，仅在电池电源。数据存储至少100年时，VCC供电。DIP封装设备可用于代替现有的静态RAM直接符合流行的字节宽28或32引脚DIP标准。表面贴装部件也可用。
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