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MD18624N功率驱动器件规格书详解

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:1.63 MB | 2024-08-27

jence

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MD18624N高频栅极驱动器设计用于驱动两个低端N沟道MOSFET，具有独立输入的最大控制灵活性。每个通道可以提供和吸收5A峰值电流，并具有轨到轨输出能力。2.2nF负载时，上升和下降时间不到10ns，降低了MOSFET的开关损耗。MD18624N具有11ns的上升和下降传播延迟，这使得系统能够以较低的延迟匹配变化在高频下运行。这些延迟非常适合要求双栅极驱动器具有关键时序的应用，例如同步整流器。当并联两个通道以提高电流驱动能力时，智能堆栈检测电路可在两个通道之间增加额外的5ns死区时间，以避免直通电流，而无需增加外部串联电阻。

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