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N和p沟道增强型功率MOSFET,PE4025KC

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:1968KB | 2017-09-06

徐亮

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PE4025KC 40V/N+P TO252-4L/适用电机驱动 

　　Description The uses advanced trench technology to provide excellent RDS（ON） and low gate charge 。 The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch， and for a host of other applications.

N和p沟道增强型功率MOSFET,PE4025KC

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