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在微型逆变器上使用TI GaN的优势

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:727.95KB | 2024-09-04

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随着全球对减少碳排放和应对气候变化的关注,可再生能源的需求日益增长。而在可再生能源中, 太阳能是最具潜力和最广泛应用的一种。随着光伏技术的进步和成本的下降,光伏市场正在迅速扩大。 为了更好地利用太阳能,需要将光伏电池板产生的直流电转换为适合家庭或商业用途的交流电,这就需 要使用逆变器。微型逆变器是一项越来越多公司正在开发的热门技术,它是可以进行单个光伏面板做最 大功率点跟踪的小型逆变器,可直接将 单个面板的直流电转换为家用交流电。 与传统组串变器相比, 它具有提高系统效率、安全性和灵活性的优势。 为了进一步提高微型逆变器的性能和竞争力,许多公司 正在开发使用 GaN(氮化镓)作为功率半导体材料的微型逆变器。GaN 相比于传统的 Si(硅)材料, 具有更低的导通损耗、更快的开关速度等特点,这意味着使用 GaN 的微型逆变器可以实现更高的效率和 更小的尺寸,从而节省空间和成本,提高系统的可靠性和寿命。 本文介绍了 TI GaN FET 用于 H4 并网逆变器的优势和设计挑战,以及针对这些难点的解决方案。

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