资料下载
×
新型半导体材料的介绍及其技术的发展概括
消耗积分:0 |
格式:rar |
大小:0.2 MB |
2017-09-25
分享资料个
随着硅基电力电子器件逐渐接近其物理极限值，新型半导体材料以更大的禁带宽度、电子饱和漂移速度更快为特点，制造出的半导体器件具有优异的光电性能、高速、高频、大功率、耐高温和高辐射等特征，在光电器件、微波器件和电力电子器件具有先天优势。
数据来源：网络
Gartner每年发布的技术成熟度曲线已经成为科技和投资界一场盛事。Gartner长期致力于通过技术成熟度曲线研究，对不同领域的技术和趋势做出评估，指导政府、科研企业、投资界在最佳时间采用这些技术或者切入该市场。该曲线按照技术触发期、期望膨胀期、幻觉破灭谷底期、复苏期、成熟期分为五个阶段。并同时按照距离主流应用的时间分组为“少于2年”，“2-5年”，“5-10年”和“10年以上”分为4个级别。并用这5个阶段和4个级别完成一个优先权矩阵，用于评估投资该市场的风险。
2016技术成熟度曲线（来源：Gartner 2016年7月）
新型半导体材料主要是以砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）为代表的化合物半导体材料和以石墨烯为代表的碳基材料。了解每种新型材料及其应用在技术成熟度曲线的位置，对我们研发、投资切入有着极其重要的意义。
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。 举报投诉
评论(0)
发评论
- 相关下载
- 相关文章
