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热阻的定义和结构介绍及LED封装器件芯片结温测试
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一、什么是热阻？
首先，为了让大家更容易理解，我们可以借用电学的概念，热阻的概念呢，就是通过类比电阻的概念而引伸出来的，两者性质的相似度非常高。电阻是指阻碍电流传导的物理量，那对应地，热阻就是阻碍热流传导的物理量，同样条件下热阻越大，热流就越不容易通过。
假如一个热源上连接有几个热阻值不相等的导热路径，那么热流的大小分布就像电流流过不同电阻时的分布一样，如图1所示。
电流（热流）分布图
也就是说，如果在两个等温点之间存在几个导热路径，其中有一个路径的热阻值非常大，而另一个路径上的热阻值非常小，那热量几乎都会从热阻值非常小的那个路径通过，这是下文会引用到的理论基础。
接下来我们再来看热阻的物理定义，所谓定义就是告诉我们怎样可以算出热阻值。前面已提到，热阻的定义可类比于电阻，电阻是指导体两端的电压差△U与通过导体的电流I的比值，那么，我们就可以很容易地理解到热阻的定义了。热阻定义为：热流通道上横跨材料两端的温度差△T与流过该通道的导热功率P的比值。用公式表达就是
热身完毕，接下来请大家走进JESD51－1标准里看半导体器件的热阻。
1．1热阻结构
半导体器件的热阻在JESD51－1标准里有详细的定义，
我们可以看出（式2）其实是（式1）的补充形式，用（式2）来分析如LED这种半导体器件的结构会显得相当的直观和方便。
LED封装结构截面图
以图2常见LED的封装结构为例，假设热源产生的热量从PN结一直往下传导，途经芯片－固晶层—器件支架—导热膏—散热器为止，而且认为散热器与环境温度达到热平衡，那么如何知道PN结到器件支架底部的准确热阻值呢？我们来介绍一种新的分析方法——结构函数法。
1．2结构函数
我们把能够描述半导体器件内部材料的热阻热容结构的函数简称为结构函数。在结构函数里每一种材料的热阻热容特性都能直观地表达出来，如图3所示，如阶梯一样，从左往右依次是芯片、固晶层、支架、导热膏、散热器。
器件结构与结构函数
提到这里，顺便请各位读者再温习下，上一篇文章我们提到，无论是二极管、三极管、场效应管还是IGBT，这些半导体器件的结温和热阻都可利用T3ster进行测量。而且经数学运算后还可以把热传导路径上的每层结构的热阻解析出来，找出散热瓶颈。这里所说的其实就是结构函数的厉害之处。假如某个器件内部的其中一层的材料（例如固晶层）出现了问题，在结构函数函数里就可以明显地表示出来，如图4所示。
固晶异常在结构函数里的区分（实线为固晶正常样品，虚线为固晶异常样品）
固晶异常表现为固晶层的热阻增大，于是位于固晶下方的结构都平移到正常样品曲线的右边。通过结构函数我们不需要把样品破坏就能把器件内部肉眼看不到的异常给揪出来，就像X－ray一样！有了结构函数，不管你是想知道哪一个界面到哪一个界面的热阻，我们都可以一层一层地划分出来，前面提到的想知道PN结到器件支架底部的热阻值更是不在话下。
好，我们通过结构函数得到了我们想知道的PN结到器件支架底部的热阻（称为），一般器件的规格书上给出的器件热阻值严格意义上就是这个。现在我们来回答文初提到的问题：怎么利用这个热阻值算出结温。
二、利用热阻计算结温
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金鉴实验室周工
2019-05-30
0 回复 举报金鉴试验室专业承接T3ster热阻测试，联系电话：18002200969，周工！ 收起回复
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