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如何使用LMG1210优化RF放大器性能
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2024-09-19
凌章致
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对于许多基于DC/DC降压转换器的新兴高速应用拓扑，使用GaN FETs的优势超过硅MOSFETs，例如RF功率放大器(RFPA)、电信基站中的无线发射机和无线数据传输。aRFPA中的发射机在空闲或工作时会浪费大量的功率作为热量，因此采用不同的功率调制技术来使功率放大器遵循信号放大所需的最佳功率水平。功率水平高达数百瓦，线性放大器产生约50%的效率。然而，使用具有D类拓扑结构的GaN FETs，开关放大器现在的峰效率超过90%。这种效率的提高使得基带站可以节省电力和维护费用，5G用户可以节省电池寿命和通话时间。FPA电路设计的一个重要方面是选择高性能的栅极驱动器。考虑到栅极驱动电路的PCB布局和驱动器传播延迟变化中的最小死区时间以及无失真RF信号放大的其他变量，GaN FET和高性能GaNdriver可以提供高性能RF功率。LMG1210能够通过5V栅极驱动实现高达50MHz的开关频率，从而提高RFPA的性能，支持高性能GaN的紧密布局，获得精确的死区时间最小化，从而最大限度地提高满载效率，等等。
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