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利用LMG1210实现GaN半桥设计的散热和功耗降低

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:50.57KB | 2024-10-14

彭友旺

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当提高GaN半桥设计的开关频率时，系统的功率损耗会增加。与其他功率fet一样，GaN FETs受到热性能的限制，需要良好的热设计来保持成本效益。冷却系统和达到更高功率密度的关键是降低功率损耗。为了在1kw功率级系统中达到99 %的效率，可以耗散不到10 W的功率损耗。通过采用适当的技术，驱动器的功耗可以降至1 W或总功耗的1 %以下。驱动器损耗包括静态、动态和栅极电荷损耗，可能会限制系统的最大潜在效率。驱动器损耗越低，效率越高，有助于防止散热问题。coolsystem需要一个快速、低功耗的栅极驱动器来提高效率。LMG1210有助于最大限度地降低驱动器散热以冷却系统，同时有助于实现更好的布局技术、两个独立散热垫的热量管理以及使用低LDO输入电压的低LDO损耗。
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