×

高速CMOS电路的操作保护措施

消耗积分:0 | 格式:rar | 大小:15.5 MB | 2017-11-23

 高速CMOS 电路的操作保护措施

  静电放电(ESD)是CMOS电路失效的原因之一。所谓静电放电是指:不同静电电位(由于直接接触引起或者由于静电场感应引起)的物体间静电荷的转移。高速CMOS 电路的输入端是绝缘栅极,很容易遭电压击穿。

  受静电放电损伤的器件根据其受损伤的程度表现为几种情况。一种是器件的输入端受到严重损伤,输入与电源端短路、与地端短路或开路;另一种是损伤不太严重,表现出间断失效或损坏;还有一种是输入漏电流增大。

  虽然在器件的输入端设计了保护网络,但是由于常用的塑料、普通的织物、不接地的人体表面等等都会产生和贮存静电荷(例如人在打蜡地板上走动产生的静电压为4~15kV),因此在操作高速CMOS 电路时难免会产生较强的静电放电。为此,应遵守下列保护措施。

  l.不应超过本手册规定的极限值。

  2.全部不用的输入端应接至电源(Vc)或地。

  3.所有低阻抗设备(脉冲发生器等)仅在器件接通电源后再连至器件输入端;同样,这种设备应在关断电源前拆除。

  4.高速CMOS 电路应在防静电材料中贮存或运输。

  5.操作人员应在操作器件前接地,器件应放在接地的工作台面上。

  6.尼龙或其它产生静电的材料不应接触器件。

  7.当采用自动操作时,应使用电离气体送风机和操作室加湿器,并且将可疑区域接地。

  8.当需要矫直引线或进行手工焊接时,所采用的设备应接地。

  9.采用波焊时,波焊设备、焊槽和传送系统必须接地。

  10.电源接通期间不应把器件从测试座上插入或拨出。

评论(0)
发评论

下载排行榜

全部0条评论

快来发表一下你的评论吧 !