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高压侧电荷FET实现

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:204.18KB | 2024-10-14

李伟

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bq77905和bq77915利用N沟道MOSFETs提供低端保护开关，但有时需要高端充电路径。本文提供了用于充电电流控制的P沟道高端FET驱动示例。描述了解决高端P沟道FET实现常见问题的电路和测试示例，以帮助设计人员成功实现高端P沟道电荷FET设计。
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