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如何使用UCC21220A驱动高压GaN FET
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2024-09-26
王健
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高压GaN FETs已经从理论和实验室研究中出现，并具有可从多个供应商获得的商业技术。与硅MOSFETs相比，GaN FETs在某些情况下具有诱人的优势，表现为栅极电荷需求极低、Ros oN和尺寸减小、Qoss降低、Coss线性度提高。由于没有反向恢复效应，GaN fet首次实现了许多硬开关拓扑，尤其是半桥转换器和图腾柱PFC。在LLC转换器等软开关设计中，空载时间受非线性度的影响很大，GaN fet可以缩短空载时间，提高可预测性，降低均方根电流，并提高效率。终端设备设计师渴望使用GaN FETs实现更小的电源、更高的功率密度和更低的系统温度。
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