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高电源抑制比无片外电容LDO设计

消耗积分:1 | 格式:rar | 大小:1.66 MB | 2018-02-23

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　　随着集成电路制造工艺水平的迅猛发展，不同的功能模块，比如数字，模拟，射频电路集成在一块芯片上。然而电源噪声会大大削弱对噪声敏感的电路模块的性能，如改变VCO输出信号的频率和相位，所以必须通过电源管理模块对外部电源进行处理，得到模块所需性能标准的电压。

　　设计了一种可用于射频前端芯片供电的高电源抑制比（PSR）无片外电容CMOS低压差线性稳压器（LDO）。基于对全频段电源抑制比的详细分析，提出了一种PSR增强电路模块，使100 kHz和IMHz处的PSR分别提高了40 dB和30 dB;加入串联RC补偿网络，保证了电路的稳定性；在LDO输出至误差放大器输入的反馈回路引入低通滤波模块，降低了由于输出端接不同负载对反馈回路的影响。

高电源抑制比无片外电容LDO设计

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