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电动汽车的SiC演变和GaN革命

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:368.15KB | 2025-01-24

李慧

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碳化硅(SiC)功率半导体在使电动汽车摆脱对里程优势的焦虑方面发挥了重要作用。虽然在最高电压(800-1，250 V)下，SiC可能仍然是首选技术，但在较低电压(如400 V)下，EV平台可以利用GaN器件，从而提供更高的功率密度和效率。集成GaN晶体管驱动器IC确保了处理旅途生活所需的耐用性和可靠性。
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评论(1)
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xumingliu 10-11
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革命个啥呢？比我们批量生产IGBT做的尺寸还大，你这是反古革命吗？IGBT；Si mos; Sic mos；随便哪一款都比你这个尺寸小。 收起回复

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