资料下载
×
NSF080120D7A0 N沟道SiC MOSFET规格书
消耗积分:0 |
格式:pdf |
大小:1.3MB |
2025-02-13
分享资料个
该NSF080120D7A0是基于碳化硅的 1200 V 功率 MOSFET，采用成熟的 7 引脚 TO-263 塑料封装，用于表面贴装 PCB 技术。优秀的RDSon 温度稳定性与快速开关速度相结合，使其成为高 电力和高压工业应用，如电动汽车充电基础设施、光伏 逆变器和电机驱动器。 2. 特点和优势 • 优异的RDSon温度稳定性 • 非常低的开关损耗 • • • • 非常快速和坚固的本征体二极管 • 快速反向恢复 开关速度快 与温度无关的关断开关损耗 由于附加了开尔文源极引脚，换向速度更快，开关性能更好 3. 应用 • 电动汽车充电基础设施 • 光伏逆变器 • 开关模式电源 • 不间断电源 • 电机驱动 4. 快速参考数据
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。 举报投诉
评论(0)
发评论
- 相关下载
- 相关文章
