×

2N7002AKM-Q 60V、N沟道沟槽MOSFET规格书

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:284.92KB | 2025-02-09

张辉

分享资料个

N沟道增强模式场效应晶体管（FET）采用无引线超小型DFN1006-3封装 （SOT883型）采用沟槽MOSFET技术的表面贴装器件（SMD）塑料封装。 2. 特点和优势 逻辑电平兼容 • • 非常快速的开关 • • 静电放电 （ESD） 保护 • 符合AEC-Q101标准 沟槽MOSFET技术 3. 应用 • 继电器驱动器 • 高速线路驱动器 • 低侧负载开关 • 开关电路 4. 快速参考数据 表 1.快速参考数据 象征 VDS系列 VGS系列 编号 静态特性 RDSon的 参数 漏源电压 栅源电压 漏极电流 漏源开启状态 电阻 条件 Tj = 25 °C VGS = 10 V;坦布 = 25 °C [1] 最小 - -20 - 类型 - - - 麦克斯 60 20 350 单位 V V 马 VGS = 10 V;内径 = 100 毫安;Tj = 25 °C - 2.2 3 Ω [1] 设备安装在 FR4 PCB 上，单面铜，镀锡，用于排水 1 cm2 的安装垫。
下载并关注上传者 低至0.43元/天 开通VIP 免费下载

下载资料需要登录，并消耗一定积分。

声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。 举报投诉

评论(0)
发评论

下载排行榜

全部0条评论

快来发表一下你的评论吧 !