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AET3152AP常用P沟道场效应晶体管规格书

消耗积分:2 | 格式:pdf | 大小:1.04 MB | 2025-05-23

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本文档为AET3152AP芯片规格书，详细介绍了该P- MOSFET的技术参数和应用范围。文档还提供了额定值、热特性、电气特性、动态特性和反向二极管特性等详细数据，并附有电气特性图表和物理尺寸信息。

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