PC2812是用于标准和逻辑电平N沟道MOSFET功率器件的高性能同步整流器控制器和驱动器。 通过实施接近理想的二极管仿真, 可减少输出整流器的损耗, 并间接减少初级侧损耗。 漏极到源极(Vds)传感控制方案允许 使用多个拓扑结构, 例如有源钳位反激式、 QR/DCM/CCM反激式和LLC等集成特性可简化设计工作, 使PC2812在各种频率下都应用中, 并表现卓越。 较宽的VDD和VD工作电压范围便于在输出电压高达18V的系统中轻松实施。 通过自适应最短关闭时间可提高效率和抗噪能力。 变体器件 和 具有不同的最短导通时间,以提高抗噪能力。 通过比例栅极驱动器和连续导通模式 ( CCM) 循环极限预关闭进一步增强了CCM模式下的稳健运行能力。PC2812具有多个可提高效率的特性。 具有较短传播延迟的快速比较器可减少开关损耗。 9.5V栅极驱动器钳位可降低MOSFET驱动损耗。 频率相关待机模式可进一步降低待机功耗。 这些特性可帮助成为符合诸如美国能源部 ( DoE) 第VI级和行为规范( CoC ) 第2级等严格效率标准的更大系统的一部分
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