功耗管理模式:
• 可选择的功耗管理模式采用 nanoWatt XLP 技术实现极低
功耗:
- 深度休眠模式支持近乎完全掉电 (典型值为 20 nA,
使能 RTCC 或 WDT 时为 500 nA),并可通过外部触
发唤醒,或通过可编程 WDT 或 RTCC 闹钟自唤醒
- 对于深度休眠模式使用极低功耗 DSBOR,对于所有
其他模式使用 LPBOR
- 休眠模式会关闭外设和内核,可显著降低功耗和快
速唤醒
- 空闲模式会关闭 CPU 和外设,可显著降低功耗(典
型值低至 4.5 μA)
- 打盹模式支持 CPU 时钟以低于外设的速度运行
- 备用时钟模式支持在运行时切换为较低的时钟速
度,可在运行模式期间选择性地降低功耗 (典型值
低至 15 μA)
高性能 CPU:
• 改进型哈佛架构
• 32 MHz 时最高 16 MIPS 工作速度
• 8 MHz 内部振荡器具有:
- 4 倍频 PLL 选项
- 多个分频选项
• 17 位 x 17 位单周期硬件小数 / 整数乘法器
• 32 位 /16 位硬件除法器
• 16 x 16 位工作寄存器阵列
• 优化的 C 编译器指令集架构:
- 76 条基本指令
- 灵活的寻址模式
• 可寻址最大 12 MB 的线性程序存储空间
• 可寻址最大 64 KB 的线性数据存储空间
• 两个地址发生单元,分别用于数据存储器的读和写寻址
单片机特性:
• 工作电压范围为 2.0V 至 3.6V
• 可在软件控制下自编程
• 可承受 5.5V 输入电压 (仅对于数字引脚)
• 所有 I/O 引脚上的高灌 / 拉电流 (18 mA/18 mA)
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