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T1G2028536-FL 氮化镓射频功率晶体管的详细数据手册免费下载
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2018-07-25
李鸿洋
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TriQuint T1G2028 536FL是一个285 W（P3dB）的离散GaN上的SiC HEMT，其工作从DC到2 GHz。该装置采用TriQuint公司经过验证的TQGaN25HV工艺制造，它采用先进的场板技术，在高漏极偏压操作条件下优化功率和效率。这种优化可以在较少的放大器线路UPS和较低的热管理成本方面潜在地降低系统成本。
无铅和符合RoHS标准的
评估板可根据要求提供。
应用
军用雷达
民用雷达
专业和军事无线电通信
测试仪器
宽带或窄带放大器
GPS通信
航空电子设备
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