×

红外显微镜用于测量高性能微波GaN HEMT器件和MMIC的有什么局限性?

消耗积分:3 | 格式:pdf | 大小:0.68 MB | 2018-07-25

20762

分享资料个

  本文讨论了红外显微镜用于测量高性能微波GaN HEMT器件和MMIC的局限性。它还将描述Qorvo的热分析集成方法,它利用建模、经验测量(包括显微拉曼热成像)和有限元分析(FEA)。该方法是非常有效的,并已被经验验证。通过承认红外显微镜的局限性,预测和测量可以比用低功率密度技术开发的传统方法更精确。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉

评论(0)
发评论

下载排行榜

全部0条评论

快来发表一下你的评论吧 !