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AP90H06NF 60V 90A N+N沟道增强型MOSFET

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:901.84 KB | 2026-07-20

腾震粤电子
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描述
AP90H06NF采用先进的APM-SGT II技术，

可实现优异的R DS(ON)、低栅极电荷，并在低至10V的栅极电压下正常工作。这个
该器件适用于电池保护或其他开关应用。  
主要特性  
VDS = 60V，ID = 100A  
RDS(ON) < 4.8mΩ @ VGS = 10V（型号：3.8mΩ）  
应用领域  
电池保护UPS

 

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