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AP250N06T6 60V N沟道增强型MOSFET 250A 60V TO263-6L
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2026-07-02
描述
AP250N06T6 采用先进的 APM-SGT II 技术，具有优异的 R DS(ON) 值、
低栅极电荷以及在低至 10V 栅极电压下即可正常工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
主要特性
V DS = 60V，I D = 250A
R DS(ON) < 3.2mΩ @ V GS = 10V（型号：2.1mΩ）应用程序
电池保护UPS
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