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绝缘栅双极晶体管IGBT的设计要点详细资料说明

消耗积分:1 | 格式:pdf | 大小:0.90 MB | 2019-05-06

zhongguozao888

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　　作为新型电力半导体器件的主要代表， IGBT被广泛用于工业、信息、新能源、医学、交通、军事和航空领域。随着半导体材料和加工工艺的不断进步， IGBT的电流密度、耐压和频率不断得到提升。 目前，市场上的 IGBT器件的耐压高达 6500V，单管芯电流高达 200A，频率达到 300kHz。在高频大功率领域，目前还没有任何一个其它器件可以代替它。本文着重分析讨论 IGBT器件的设计要点。

　　一、 IGBT的基本结构和工作原理

　　从图 1 可以看出， IGBT是一个复合器件，由一个 MOSFET和一个 PNP三极管组成，也可以把它看成是一个 VDMOS 和一个 PN二极管组成。图 2 是 IGBT的等效电路。

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