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用激光探针测量半导体器件中的载流子浓度调制效应

消耗积分:5 | 格式:rar | 大小:359 | 2010-11-27

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摘要：本文采用1.3UM HE-NE激光或LNGAASP/INP半导体激光作探针,实时,无损地测量硅半导体器件中的自由载流子浓度的变化,从理论上分析了器件内自由载流子浓度变化引起的折射率改变及由此产生的光相位调制.
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