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射频设计中的发热问题应该如何解决
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对电子设备来说，发热意味着工作寿命的缩短。因此，热量管理成了所有电路设计人员都关心的一个问题，特别是针对大信号时。在射频/微波电路中，大信号常见于功率放大器和系统发送端元件。不管是连续波（CW）信号还是脉冲信号，如果产生的热量得不到有效疏导，它们都将导致印制电路板（PCB）上和系统中的热量积聚。防止电路热量积聚需要一定的想象力：可以想象成热量从一个热源（如功率晶体管）流向一个目的地（如散热片或设备底座）。理解热量在系统各射频/微波元件中是如何产生的也有助于热量分析。例如，功率放大器发热不是仅因其工作在大功率级，诸如放大器效率、放大器输出端的阻抗匹配（VSWR）以及源自放大器输出的热路径等因素都会影响放大器热量的产生。尽管具有 50%效率的功率放大器似乎已经很不错，但这也会浪费掉系统供给它的一半能量，其中大部分以热量的形式损失掉了。除功率放大器外，像滤波器和功率分配器这样的无源器件的插入损耗以及元件、同轴电缆和其它互连器件连接处的阻抗不匹配 （高VSWR）也会导致“散热障碍”。高效的热管理需要了解热量从源（例如放大器）流过所有连接电缆和其它元件再到散热终点的热量流动过程。在电路层面，热管理也是放大器自身的一个问题，因为热量从放大器的有源器件向外流动--有些热量通过电路板材料，有些进入周围元件，有些流入电路板上下方周围的空气。理想情况下，可以提供一条让热量从有源器件正确地散发出来的路径，因为这些器件周围的热量积聚也会缩短它们的工作寿命。此外，这些热量可能对某些器件造成有害影响，比如在硅双极型晶体管中温度的不断上升，即通常所说的“热失控”。在散热不当的情况下，有些器件相比其它器件更易受到损坏。例如，GaAs半导体衬底的导热率大约只有硅器件的三分之一。在高温下，GaAs晶体管也可能遭受记忆效应的影响（也就是说即使温度已经下降，器件仍可能工作在高温时的特定增益状态），进而导致器件线性性能变差。热量分析实质上是基于对器件或电路中使用的不同材料的研究，以及这些材料的热阻或其对热量流动的阻力。当然，反过来说就是材料的导热率，这是衡量材料导热能力的一个指标。热材料（比如导热胶和电路板材料）的数据手册中一般都列有这一参数，参数值越高，代表这种材料处理大功率级和发热量的能力就越高。热阻可以用温度变化（该数值是作为所采用功率的函数）来描述，通常单位为℃/W.在为器件、电路板和系统建立热量模型时，必须考虑所有热效应的影响，这不仅包括器件的自发热效应，还包括其对周边器件的影响。由于这些交互作用的存在，热建模一般是通过构建一个带有全部发热器件的热矩阵来完成的。
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