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如何激发GaN的潜能
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2020-11-25
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大规模数据中心、企业服务器或电信交换站使得功耗快速增长，因此高效 AC/DC 电源对于电信和数据通信基础设施的发展至关重要。但是，电力电子行业中的硅 MOSFET 已达到其理论极限。同时，近来氮化镓（GaN）晶体管已成为能够取代硅基 MOSFET 的高性能开关，从而可提高能源转换效率和密度。为了发挥 GaN 晶体管的优势，需要一种具有新规格要求的新隔离方案。 GaN 晶体管的开关速度比硅 MOSFET 要快得多，并可降低开关损耗，原因在于：栅极电容和输出电容更低。较低的漏源极导通电阻（RDS（ON））可实现更高的电流操作，从而降低了传导损耗。无需体二极管，因此反向恢复电荷（QRR）低或为零。 GaN 晶体管支持大多数包含单独功率因数校正（PFC）和 DC-DC 部分的 AC/DC 电源：前端、无电桥 PFC 以及其后的 LLC 谐振转换器（两个电感和一个电容）。此拓扑完全依赖于图 1 所示的半桥和全桥电路。
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