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基于MSCSICMDD/REF1MOSFET功率驱动器的参考设计
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2021-01-15
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说明
- MSCSICMDD / REF1，参考设计提供了一个高度隔离的SiC MOSFET双栅极驱动器的示例。可以通过开关对其进行配置，以将其驱动为具有一侧接通和停滞时间保护的半桥配置。它也可以配置为向并发驱动提供学习UIS或双脉冲测试的要求。该设计可用于大多数SiC MOSFET分立和模块器件。用户可以调整空载时间和栅极驱动电阻，以适应应用需求。死区时间保护和去饱和保护使设备评估更加容易，同时降低了损坏部件的风险
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