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MT8006A/B高速功率MOSFET和IGBT驱动器英文手册

消耗积分:2 | 格式:pdf | 大小:0.22 MB | 2024-11-18

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MT8006是一款基于P_SUB P_EPI工艺的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器。浮动沟道驱动器可用于独立驱动两个N沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压最高可达300 V。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，逻辑电压最低可达3.3V。输出驱动器具有一个高脉冲电流缓冲级，旨在将驱动器交叉传导降至最低。传播延迟相匹配，以简化高频应用。它有两个版本MT8006A和MT8006B。

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