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XNS40N60TH IGBT芯片的数据手册免费下载
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2021-03-02
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特征
先进的沟槽+FS（场阻）IGBT技术
集电极-发射极饱和电压低，典型数据为1.75V@40A。
由于Vce中的正温度系数，易于并联切换。
10uS短路
快速切换
高输入阻抗
无铅产品
应用
焊接
通用变频器
电机控制
智能电源模块
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