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考虑栅氧化层SBD,NBTI和MOSFET的SRAM稳定性分析

消耗积分:0 | 格式:rar | 大小:6.35 MB | 2021-03-29

姚小熊27

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　　对超薄栅氧化物，采用软击穿（SBD）技术广泛研究，但没有完全集成到电路可靠性模拟。使用一个6T SRAM单元作为通用电路示例时间相关的SBD被纳入电路退化基于指数缺陷电流增长模型［1］进行分析。SRAM细胞稳定性因个体失效机制而退化为特征。

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