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7.5 kW电动汽车碳化硅逆变器设计

消耗积分:0 | 格式:rar | 大小:1.47 MB | 2021-04-16

姚小熊27

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　　第三代功率半导体碳化硅 SiC（silicon carbide）具有高耐压等级、开关速度快以及耐高温的特点，能显著提高电动汽车驱动系统的效率、功率密度和可靠性。 首先，设计了两电平三相逆变器主电路和带有保护功能的隔离型驱动电路，使用 LTSpice 仿真分析了门极电阻对驱动性能的影响；其次，建立了逆变器的功率损耗与热阻模型，使用 Icepak 对散热器进行了散热分析；再次，讨论了 PCB 板寄生参数对主电路和驱动电路的影响，并提出了减少寄生参数的措施；最后，采用 CREE 公司的 1 200 V/40 mΩ SiC MOSFET 制作了 1 台 7.5 kW 的实验样机，并给出了测试结果。

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