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了解用于碳化硅MOSFET的短路保护方法

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:558.39KB | 2024-09-02

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碳化硅 (SiC) MOSFET 已成为硅 (Si) IGBT 的潜在替代 产品，适用于光伏逆变器、车载和非车载电池充电器、 牵引逆变器等各种应用。与 Si IGBT 相比，SiC MOSFET 具有更严格的短路保护要求。为了充分利用 SiC MOSFET 并确保系统稳健运行，需要快速可靠的 短路保护电路。本文档将讨论 SiC MOSFET 和 Si IGBT 的不同特性，说明并比较三种短路保护方法，以 及总结 SiC MOSFET 的短路保护要求。TI 的 UCC217xx 系列是适用于 IGBT 和 SiC 且具有高级保 护功能的单通道隔离式栅极驱动器，可用于各种系统设 计，以保护开关免受各种类型的过流和短路故障的影 响。出色的快速保护和高抗噪性可提高系统设计的多功 能性和系统的稳健性。
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