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TC4421/TC4422中文资料
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2009-01-19
绝代双骄
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TC4421/TC4422 是强电流缓冲器/ 驱动器，能够驱动大
功率MOSFET 和IGBT。
这些器件基本上不受任何干扰因素的影响，除非直接过
压或功耗过大。只要在其功率和电压范围内，任何情况
都不会使它们闭锁。当接地端的地弹反射（Ground
Bounce）小于等于5V 的情况下，这些器件不会受损或
产生误操作。它们还可以承受被强制返回到输出端的任
何极性的大于1A 的感应电流，而不会造成器件损坏或
逻辑混乱。此外，所有引脚都被充分地保护，能承受最
高为4 kV 的静电放电。
TC4421/TC4422 的输入端可以由TTL 或CMOS （3V
至18V）直接驱动。此外，输入端有300 mV 的迟滞电
压，可以防止噪声干扰，并允许使用缓慢升高或降低的
波形来驱动器件。
TC4421/TC4422系列的9A MOSFET驱动器采用表面贴
装和过孔封装形式，并且有4 种工作温度范围可供选
择，适用于大多数需要很高的门/ 线容性驱动的应用。
功率MOSFET 和IGBT。
这些器件基本上不受任何干扰因素的影响，除非直接过
压或功耗过大。只要在其功率和电压范围内，任何情况
都不会使它们闭锁。当接地端的地弹反射（Ground
Bounce）小于等于5V 的情况下，这些器件不会受损或
产生误操作。它们还可以承受被强制返回到输出端的任
何极性的大于1A 的感应电流，而不会造成器件损坏或
逻辑混乱。此外，所有引脚都被充分地保护，能承受最
高为4 kV 的静电放电。
TC4421/TC4422 的输入端可以由TTL 或CMOS （3V
至18V）直接驱动。此外，输入端有300 mV 的迟滞电
压，可以防止噪声干扰，并允许使用缓慢升高或降低的
波形来驱动器件。
TC4421/TC4422系列的9A MOSFET驱动器采用表面贴
装和过孔封装形式，并且有4 种工作温度范围可供选
择，适用于大多数需要很高的门/ 线容性驱动的应用。
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