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双极锁存型霍尔效应位置传感器DH41F产品规格书

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:0.46 MB | 2021-11-27

无锡迪仕科技

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DH41F双极锁存型霍尔效应位置传感器，采用稳定的BiCMOS制造工艺，是由内部电压稳压单元、霍尔电压发生器、差分放大器、温度补偿单元、施密特触发器和集电极开路输出级组成的磁敏传感电路，其输入为磁感应强度，输出是一个数字电压信号。它是一种双磁极工作的磁敏电路，适合于矩形或者柱形磁体下工作。 DH41F常规提供 TO-92 插件封装，符合无卤素标准，使用温度为-40℃~125℃。

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