N 沟道 30 V、1.3 mOhm、用于热插拔的 ASFET，在 LFPAK56 中具有增强的 SOA-PSMN1R1-30YLE

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:313.68KB | 2023-02-07

周必镜

分享资料个

数据手册

下载并关注上传者 低至0.43元/天 开通VIP 免费下载

声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。举报投诉

发评论

相关下载
相关文章

下载排行榜

UC3842/3/4/5电源管理芯片中文手册
2024-12-02 16次下载

下载
DMT0660数字万用表产品说明书
2024-12-03 13次下载

下载
STM32F101x8/STM32F101xB手册
2024-12-06 8次下载

下载
华瑞昇CR216芯片数字万用表规格书附原理图及校正流程方法
2024-12-03 8次下载

下载
TPS54202H降压转换器评估模块用户指南
2024-12-04 8次下载

下载
HY12P65/HY12P66数字万用表芯片规格书
2024-12-03 6次下载

下载

N 沟道 30 V、1.3 mOhm、用于热插拔的 ASFET，在 LFPAK56 中具有增强的 SOA-PSMN1R1-30YLE

LFPAK中的N沟道 30 V 2mOhm 逻辑电平 MOSFET-PSMN2R0-30YL

LFPAK中的N沟道 30 V 2.4mOhm 逻辑电平 MOSFET-PSMN2R5-30YL

LFPAK中的N沟道 30 V 3mOhm 逻辑电平 MOSFET-PSMN3R0-30YL

LFPAK中的N沟道 30 V 4mOhm 逻辑电平 MOSFET-PSMN4R0-30YL

LFPAK中的N沟道 30 V 5mOhm 逻辑电平 MOSFET-PSMN5R0-30YL

LFPAK中的N沟道 30 V 6mOhm 逻辑电平 MOSFET-PSMN6R0-30YL

LFPAK中的N沟道 30 V 7mOhm 逻辑电平 MOSFET-PSMN7R0-30YL

LFPAK中的N沟道 30 V 1.3mOhm 逻辑电平 MOSFET-PSMN1R3-30YL

采用 NextPowerS3 技术的 LFPAK56中的N沟道 30V,1.4 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN1R4-30YLD

采用 NextPowerS3 技术的 LFPAK56中的N沟道 30V,2.4 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN2R4-30YLD

采用 NextPowerS3 技术的 LFPAK56中的N沟道 30V,3.0 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN3R0-30YLD

采用 NextPowerS3 技术的 LFPAK56中的N沟道 30V,6.0 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN6R0-30YLD

采用 NextPowerS3 技术的 LFPAK56中的N沟道 30V,6.1 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN6R1-30YLD

采用 NextPowerS3 技术的 LFPAK56中的N沟道 30V,7.5 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN7R5-30YLD

采用 NextPowerS3 技术的 LFPAK56中的N沟道 30V,4.0 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN4R0-30YLD

采用 NextPowerS3 技术的 LFPAK56中的N沟道 30V,1.0 mΩ、300A 逻辑电平 MOSFET-PSMN1R0-30YLD

采用 NextPowerS3 技术的 LFPAK56中的N沟道 30V,2.0 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN2R0-30YLD

采用 NextPowerS3 技术的 LFPAK56中的N沟道 30V,1.2mΩ、250A 逻辑电平 MOSFET-PSMN1R2-30YLD

LFPAK中的N沟道 30 V2mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN2R0-30YLE

N 沟道 100V,4.8mOhm MOSFET，采用增强型 SOA，采用 LFPAK56E-PSMN4R8-100YSE

N 沟道 80V,4.2mOhm MOSFET，采用增强型 SOA，采用 LFPAK56E-PSMN4R2-80YSE

N 沟道 25 V、0.77 mOhm、用于热插拔的 ASFET，在 LFPAK56 中具有增强的 SOA-PSMNR68-25YLE

N 沟道 25 V、0.63 mOhm、用于热插拔的 ASFET，在 LFPAK56E 中具有增强的 SOA-PSMNR56-25YLE

N 沟道 30 V、0.70 mOhm、用于热插拔的 ASFET，在 LFPAK56E 中具有增强的 SOA-PSMNR67-30YLE

N 沟道 30 V、0.87 mOhm、用于热插拔的 ASFET，采用增强型 SOA，采用 LFPAK56-PSMNR82-30YLE

N 沟道 30 V、1.1 mOhm、用于热插拔的 ASFET，在 LFPAK56 中具有增强的 SOA-PSMN1R0-30YLE

N 沟道 30 V、2.2 mOhm、用于热插拔的 ASFET，在 LFPAK56 中具有增强的 SOA-PSMN2R1-30YLE

N 沟道 25 V、0.98 mOhm、用于热插拔的 ASFET，在 LFPAK56 中具有增强的 SOA-PSMNR89-25YLE

N 沟道 25 V、1.1 mOhm、用于热插拔的 ASFET，在 LFPAK56 中具有增强的 SOA-PSMNR98-25YLE

N 沟道 25 V、1.9 mOhm、用于热插拔的 ASFET，在 LFPAK56 中具有增强的 SOA-PSMN1R6-25YLE

N+1热插拔电源模块并联均流系统设计与实现

面向热插拔应用的MOSFET

安世半导体P沟道LFPAK56 MOSFET特性概述

Vishay推出30V N沟道TrenchFET第五代功率MOSFET

Vishay推出多功能新型30 V N沟道TrenchFET第五代功率MOSFET

键盘热插拔和非热插拔的区别

热插拔和非热插拔的区别

东芝推出30V N沟道共漏极MOSFET适用于电池组保护

Toshiba推出适用于USB设备和电池组保护的30V N沟道共漏MOSFET

用于热插拔应用的增强型SOA技术LFPAK 5x6 ASFET

安世|采用SMD铜夹片LFPAK88封装的热插拔专用MOSFET(ASFET)

Nexperia | 推出用于自动安全气囊的专用MOSFET (ASFET)新产品组合

Nexperia推出首款采用SMD铜夹片LFPAK88封装的热插拔专用MOSFET(ASFET)，管脚尺寸缩小60%

具有上电超时功能的热插拔控制器简化了具有多个电源的热插拔板

利用增强型SOA缩小热插拔管脚尺寸

在大电流热插拔应用中通过有保证的SOA实现低导通电阻

MOSFET安全工作区和热插拔电路

Nexperia推用于热插拔的全新特定型应用MOSFET (ASFET)，SOA性能翻倍

Nexperia推出用于热插拔的全新特定型应用MOSFET (ASFET)，SOA性能翻倍

30V超低内阻mos管系列，锂电池专用mos管方案

30v贴片mos管系列，N沟道增强型锂电池mos管！

30V/40V/60V/80V/100V/150V/200V 常用mos管选型方案

NP30P10G(100V P沟道增强模式MOSFE)

Nexperia推出用于自动安全气囊的专用MOSFET (ASFET)新产品组合

SLN30P03T 美浦森 -30V -30A DFN3*3-8 P沟道MOS管

30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5

电源设计中，如何使热插拔与电子熔丝相结合

安世半导体推出采用LFPAK56封装的0.57 mΩ产品

如何选择MOSFET - 热插拔

48V、2A 热插拔控制器

下载排行榜

UC3842/3/4/5电源管理芯片中文手册

DMT0660数字万用表产品说明书

STM32F101x8/STM32F101xB手册

华瑞昇CR216芯片数字万用表规格书附原理图及校正流程方法

TPS54202H降压转换器评估模块用户指南

HY12P65/HY12P66数字万用表芯片规格书