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MOSFET与IGBT的区别分析及举例说明

消耗积分:2 | 格式:pdf | 大小:0.51 MB | 2023-02-24

蔡鼎瑾

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MOSFET和IGBT内部结构不同， 决定了其应用领域的不同。 1. 由于MOSFET的结构,通常它可以做到电流很大，可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强。 2. IGBT可以做很大功率，电流和电压都可以，就是一点频率不是太高，目前IGBT硬开关速度可以到100KHZ，那已经是不 错了。不过相对于MOSFET的工作频率还是九牛一毛，MOSFET可以工作到几百KHZ，上MHZ，以至几十MHZ，射频领 域的产品。
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