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MOSFET和IGBT的对比
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2023-02-22
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MOSFET工作原理
MOSFET（MetalOxide Semiconductor Field Effect Transistor）全称金属-氧化物半导体场效应晶体管。 首先以我们最常用的N沟道增强型MOSFET进行分析
总共有三个电极S（source）源极，D（drain）漏极，G（grid）栅极，如图所示，其中P区是一个杂志浓度低的P型硅材料作为衬 底，其上有两处高掺杂的N型区域，分别通过金属铝（图中棕黄色）引出作为漏极和源极，通常将衬底和源极接在一起使用。 相互隔离的两个N区的表面覆盖有金属氧化物SiO2绝缘层，栅极与其他两个电极被绝缘开来，因此该结构称之为绝缘栅 型。
MOSFET（MetalOxide Semiconductor Field Effect Transistor）全称金属-氧化物半导体场效应晶体管。 首先以我们最常用的N沟道增强型MOSFET进行分析
总共有三个电极S（source）源极，D（drain）漏极，G（grid）栅极，如图所示，其中P区是一个杂志浓度低的P型硅材料作为衬 底，其上有两处高掺杂的N型区域，分别通过金属铝（图中棕黄色）引出作为漏极和源极，通常将衬底和源极接在一起使用。 相互隔离的两个N区的表面覆盖有金属氧化物SiO2绝缘层，栅极与其他两个电极被绝缘开来，因此该结构称之为绝缘栅 型。
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