×

保护IGBT和MOSFET免受ESD损坏

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:0.30 MB | 2023-02-24

分享资料个

功率MOSFET用户都非常熟悉“静电敏感器件”警告标志。然而，越熟悉越容易大意。从统计的角度来看，单个MOSFET不太可 能被静电放电（ESD)损坏。然而，在处理成千上万个MOSFET时，极小的故障都可能带来极大的影响。
下载并关注上传者 低至0.43元/天 开通VIP 免费下载

声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。 举报投诉

评论(0)
发评论

下载排行榜

全部0条评论

快来发表一下你的评论吧 !