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SiC肖特基紫外光电探测器的研制

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:142 KB | 2011-06-24

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采用微电子平面工艺,用宽禁带半导体n-4H-SiC和金属Au(或Ni)形成肖特基接触,Ti、Ni、Ag合金在背底作欧姆接触,制备出Au/n-4H-SiC和Ni/n-4H-SiC肖特基紫外光电探测器。测试分析了这两种器件的光谱响应特性及其I-V 特性。其光谱响应范围均是200～400nm,室温无偏压下,Au/n-4H-SiC的光谱响应峰值在310nm,光谱响应半宽是73nm,室温7V偏压下光谱响应峰值86.72mA/W,量子效率可达37.15%,Ni/n-4H-SiC相应的参数分别为300nm、83nm、45.84mA/W 及18.98%。Au/n-4H-SiC室温下正向开启电压0.81V,Ni/n-4H-SiC是0.52V,两者反向击穿电压均大于200V,反向漏电流小于1×10-10A。
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