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低压低功耗Flash bicmos SRAM的设计

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:182 KB | 2011-08-18

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设计了一种静态随机读写存储器(SRAM ) 的B iCMOS 存储单元及其外围电路。HSp ice仿真结果表明, 所设计的SRAM 电路的电源电压可低于3 V 以下, 它既保留了CMOS SRAM 低功静态存储器和便携式数字电子设备的存储系统中。
低压低功耗Flash bicmos SRAM的设计

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