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PTS4842 N沟道高功率MOSFET规格书

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:0.58 MB | 2023-06-14

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PTS4842 N沟道高功率MOSFET规格书

PTS4842采用沟槽加工技术设计，实现极低的导通电阻。并且切换速度快，传输效率提高。这些特征结合在一起，使这种设计成为一种适用于各种DC-DC应用的高效可靠的设备。

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