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PL2300GD N通道高密度壕沟MOSFET

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:0.49 MB | 2023-11-02

深圳市百盛新纪元半导体有限公司
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特征
●用于低RDS的超高密电池沟槽设计（开启）。
●坚固而可靠。
●表面安装软件包。 ​​​​

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