×

PL2300GD N通道高密度壕沟MOSFET

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:0.49 MB | 2023-11-02

深圳市百盛新纪元半导体有限公司
  • 807内容
  • 41w+阅读
  • 56粉丝

特征
●用于低RDS的超高密电池沟槽设计（开启）。
●坚固而可靠。
●表面安装软件包。 ​​​​

下载并关注上传者 低至0.43元/天 开通VIP 免费下载

声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。 举报投诉

评论(0)
发评论

下载排行榜

全部0条评论

快来发表一下你的评论吧 !