×

NP2300MR SOT-23-3L N-通道增强模式MOSFET

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:0.33 MB | 2023-11-02

概述
NP2300MR采用先进的沟槽技术,提供优良的RDS(ON)通用特性、低栅极电荷和高密度电池设计,用于超低电阻。该设备适用于作为负载开关或在PWM应用程序中使用。

一般特征
VDS=20V,ID=5A
RDS(ON)(Typ.)=24mΩ @ VGS =4.5V 
RDS (ON)(Typ.)=30mΩ @VGS =2.5V
高功率和电流处理能力
无铅产品获得
表面安装包

应用
PWM应用程序的
负载开关

封装
 SOT-23-3L

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉

评论(0)
发评论

下载排行榜

全部0条评论

快来发表一下你的评论吧 !