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深亚微米pMOS器件的HCI和NBTI耦合效应与物理机制

消耗积分:5 | 格式:rar | 大小:232 KB | 2012-04-23

王兰

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研究了深亚微米pMOS 器件的热载流子注入(hot2carrier injection ,HCI) 和负偏压温度不稳定效应(negative bias temperature instability ,NBTI) 的耦合效应和物理机制.

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