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镁掺杂对In2O3电导和气敏性能的影响
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2009-07-14
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用共沉淀法制备了Mg2 + 掺杂的In2O3 纳米粉,研究了镁掺杂对In2O3 电导和气敏性能的影响. 结果表明: MgO 和In2O3 间可形成有限固溶体In2 - xMgxO3 (0 ≤x ≤0. 40) ; MgIn×电离的空穴对材料导带电子的湮灭,使掺镁纳米粉的电导变得很小; n (Mg2 + ) ∶n ( In3 + ) = 1∶2 共沉淀物于900 ℃下热处理4 h ,用所得的纳米粉制作的传感器在320～370 ℃下,对45μmol/ L C2H5OH 的灵敏度达102. 5 ,为相同浓度干扰气体Petrol 的12 倍多.
关键词: Mg2 + ; In2 - xMgxO3 ; 电导; 酒敏传感器
关键词: Mg2 + ; In2 - xMgxO3 ; 电导; 酒敏传感器
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