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MOSFET和IGBT栅极驱动器电路之高侧非隔离栅极驱动

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:1.06 MB | 2023-02-23

kmno4

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高侧非隔离栅极驱动 1.适用于P沟道的高侧驱动器2.适用于N沟道的高侧直接驱动器 1.适用于P沟道的高侧驱动器 高侧非隔离栅极驱动可按照所驱动的器件类型或涉及的驱动电路类型来分类。相应地,无论是使用P沟道还是 N沟道器件,是实施直接驱动、电平位移驱动还是自举技术,它们都有差异。无论采用哪种方式,高侧驱动器设计需要更多关注,以下核对表涵盖了设计的各个方面,可能有所帮助: 效率偏置和电源要求速度限制

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