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栅极驱动器和MOSFET兼容性
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2023-07-24
李艺银
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介绍
在设计电源开关系统（例如电机驱动器或电源）时，设计人员必须做出重要决定。什么电机或变压器符合系统要求？什么是最好的MOSFET或IGBT来匹配该电机或变压器？以及哪种栅极驱动器 IC 最适合场效应管？
选择合适的栅极驱动器来匹配 MOSFET 对于设计最佳系统至关重要。错误的选择会不必要地增加 MOSFET 的开关损耗，从而降低系统效率。但也是一个错误的选择会大大增加噪声，可能会增加VS下冲、HO或LO尖峰，并且在极端，导致击穿，损坏 MOSFET 和栅极驱动器。栅极驱动器拉电流/灌电流和 MOSFET 总栅极电荷系统应考虑栅极驱动器的MOSFET电压和高边浮动井电压设计（两者都要比电机电压大20%左右以允许过冲），但最重要的是匹配栅极驱动器和 MOSFET 的参数是栅极驱动器源/灌电流到 MOSFET 总栅极负责。这种关系在下面的等式中可以看出：
Qg = I x t
其中Qg是MOSFET的总栅极电荷，I是栅极驱动器的源/灌电流，t是上升和 MOSFET 的下降时间。
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