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带隙参考电路的设计原理
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2009-09-30
欲望都市
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本教程简要地讨论不同带隙参考电路的设计，重点讨论造成严重麻烦的技术问题。针对各种问题给出了实际解决方案，并证明了解决这些问题的一种方法。
教程
带隙参考多年来一直是流行的模拟电路。1971年，Robert Widlar推出了第一个带隙参考—LM113。它采用传统的结点隔离双极型IC技术来制成稳定的低压参考(1.220V)。这类参考成为了低压电路—如在齐纳二极管不稳定的5V数据采集系统—的流行的稳定电压参考。带隙参考还采用如ECL这样的数值IC，以提供一个本地偏置，以便不受环境噪声或瞬态电压的负面影响。
带隙电路的原理是众所周知的，在此将从术语上做最简要的介绍。该电路依赖于两组工作在不同发射极电流密度的三极管。大电流的三极管的发射极电流密度通常比小电流的三极管的发射极电流密度要大10倍，数值为10的因子将造成两组三极管的基极-发射极之间出现60mV的增量。这个增量电压通常被放大大约10倍，并叠加到Vbe电压上。这两个电压的总和达到1.25V，典型情况下，那就近似于硅片的带隙。
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带隙参考多年来一直是流行的模拟电路。1971年，Robert Widlar推出了第一个带隙参考—LM113。它采用传统的结点隔离双极型IC技术来制成稳定的低压参考(1.220V)。这类参考成为了低压电路—如在齐纳二极管不稳定的5V数据采集系统—的流行的稳定电压参考。带隙参考还采用如ECL这样的数值IC，以提供一个本地偏置，以便不受环境噪声或瞬态电压的负面影响。
带隙电路的原理是众所周知的，在此将从术语上做最简要的介绍。该电路依赖于两组工作在不同发射极电流密度的三极管。大电流的三极管的发射极电流密度通常比小电流的三极管的发射极电流密度要大10倍，数值为10的因子将造成两组三极管的基极-发射极之间出现60mV的增量。这个增量电压通常被放大大约10倍，并叠加到Vbe电压上。这两个电压的总和达到1.25V，典型情况下，那就近似于硅片的带隙。
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