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使用亚阈值MOS晶体管和单BJT实现的带隙基准电压源论文免费下载
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2019-09-29
半痴半醉半诗翁
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介绍了一种采用亚阈值mos晶体管和单bjt的低温系数（tc）和大功率电源纹波抑制（psrr）cmos子带隙基准电压源（sub-bgr）电路。所提出的子bgr包括一种基于bjt的标度发射极基极电压的新型绝对温度互补（ctat）电压发生器和一种基于子vth mosfet的vgs叠加的改进的绝对温度比例（ptat）电压发生器。由于ctat电路实现负tc的减小绝对值，ptat电路在不消耗较大芯片面积的情况下实现了降低功耗。该子bgr电路采用标准的0.18μm cmos工艺实现。测试结果表明，在功耗仅为85nw的情况下，子bgr电路的供电电压可降至0.9v。在整个频率范围内，平均tc为33.7ppm/℃，psrr优于-40db。
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